Мощные СВЧ-транзисторы Philips Semiconductors
СВЧ-транзисторы применяются во многих областях человеческой деятельности: телевизионные и радиовещательные передатчики, ретрансляторы, радары гражданского и военного назначения, базовые станции сотовой системы связи, авионика и т. д.
В последние годы заметна тенденция перехода с биполярной технологии производства СВЧ-транзисторов на технологии VDMOS (Vertical Diffusion Metal Oxide Semiconductors) и LDMOS (Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductors). Самая передовая технология LDMOS обладает наилучшими характеристиками, такими, как линейность, усиление, тепловые режимы, устойчивость к рассогласованию, высокий КПД, запас по рассеиваемой мощности, надежность. Производимые Philips транзисторы имеют исключительно высокую повторяемость характеристик от партии к партии, и компания Philips этим гордится. При замене вышедших из строя транзисторов можно не беспокоиться о процессе настройки оборудования заново, так как все параметры транзисторов абсолютно идентичны. Этим не может похвастаться ни один из конкурентов Philips.
Все новые разработки Philips базируются на новой современной LDMOS-технологии.
Транзисторы для базовых станций сотовой связи
Кроме транзисторов упакованных в корпуса, Philips выпускает интегрированные модули.
Тип | Pвых, Вт | Корпус |
---|---|---|
BLF1043 | 10 | SOT538 |
BLF1046 | 45 | SOT467 |
BLF1049 | 125 | SOT502A |
BLF0810-90 | 16 | SOT502A |
BLF0810-180 | 32 | SOT502A |
BLF900-110 | 25 | SOT502A |
Тип | Pвых, Вт | Корпус |
---|---|---|
BLF2043 | 10 | SOT538 |
BLF1822-10 | 10 | SOT467C |
BLF1822-30 | 30 | SOT467C |
BLF1820-70 | 65 | SOT502A |
BLF1820-90 | 90 | SOT502A |
Тип | PсрWCDMA,Вт | Корпус |
---|---|---|
BLF1822-10 | 1 | SOT467C |
BLF1822-30 | 4 | SOT467C |
BLF202230 | 4 | SOT608A |
BLF2022-70 | 7,5 | SOT502A |
BLF2022-120 | 20 | SOT539A |
BLF2022-125 | 20 | SOT634A |
BLF2022-150 | 25 | SOT634A |
BLF2022-180 | 35 | SOT539A |
Тип | Pвых, Вт | Технология | Частота | Область применения |
---|---|---|---|---|
BGY916 | 19 | BIPOLAR | 900 МГц | GSM |
BGY916/5 | 19 | BIPOLAR | 900 МГц | GSM |
BGY925 | 23 | BIPOLAR | 900 МГц | GSM |
BGY925/5 | 23 | BIPOLAR | 900 МГц | GSM |
BGY2016 | 19 | BIPOLAR | 1800-2000 МГц | GSM |
BGF802-20 | 4 | LDMOS | 900-900 МГц | CDMA |
BGF 844 | 20 | LDMOS | 800-900 МГц | GSM/EDGE (USA) |
BGF944 | 20 | LDMOS | 900-1000 МГц | GSM/EDGE (EUROPE) |
BGF1801-10 | 10 | LDMOS | 1800-1900 МГц | GSM/EDGE (EUROPE) |
BGF1901-10 | 10 | LDMOS | 1900-2000 МГц | GSM/EDGE (USA) |
Отличительные особенности интегрированных модулей:
Рекомендуемые решения для стандарта GSM: на 800 МГц: BGF844 + BLF1049 на 900 МГц: BGF944 + BLF1049 на 1800 МГц: BGF1801-10 + BLF1820-10 на 1900 МГц: BGF1901-10 + BLF1820-10
Рекомендуемые решения для стандарта CDMA: на 800 МГц: BGF802-20 + BLF0810-180 на 1900 МГц: BGF1901-10 + BLF1820-90
Рекомендуемые решения для стандарта EDGE:
BGF0810-90
BLF1820-90
Транзисторы для вещательных станций
На протяжении последних 25 лет компания Philips сохраняет лидерство в данной области. Использование последних достижений в технологии LDMOS (серии BLF1xx, BLF2xx, BLF3xx, BLF4xx, BLF5xx,) позволяет постоянно укреплять позиции на рынке. В качестве примера можно привести огромный успех транзистора BLF861 для ТВ-передатчиков. В отличие от транзисторов конкурентов, BLF861 зарекомендовал себя высоконадежным и высокостабильным элементом, защищенным от выхода из строя при отключении антенны. Никто из конкурентов не смог приблизиться к характеристикам BLF861 по стабильности работы. Можно назвать основные сферы применения таких транзисторов: передатчики на частоты от HF до 800 МГц, частные радиостанции PMR (TETRA), передатчики VHF гражданского и военного назначения.
Тип | F, ГГц | Vcc,B | Tp, мкс | Коэфф. заполнения, % | Мощность, Вт | КПД,% | Усиление, дБ | |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
L-полоса | RZ1214B35Y | 1,2-1,4 | 50 | 150 | 5 | >35 | >30 | >7 |
RZ1214B65Y | 1,2-1,4 | 50 | 150 | 5 | >70 | >35 | >7 | |
RX1214B130Y | 1,2-1,4 | 50 | 150 | 5 | >130 | >35 | >7 | |
RX1214B170W | 1,2-1,4 | 42 | 500 | 10 | >170 | >40 | >6 | |
RX1214B300Y | 1,2-1,4 | 50 | 150 | 5 | >250 | >35 | >7 | |
RX1214B350Y | 1,2-1,4 | 50 | 130 | 6 | >280 | >40 | >7 | |
Bill 21435 | 1,2-1,4 | 36 | 100 | 10 | >35 | 45 | >13 | |
BLL1214-250 | 1,2-1,4 | 36 | 100 | 10 | >250 | 45 | >13 | |
S-полоса | BLS2731-10 | 2,7-3,1 | 40 | 100 | 10 | >10 | 45 | 9 |
BLS2731-20 | 2,7-3,1 | 40 | 100 | 10 | >20 | 40 | 8 | |
BLS2731-50 | 2,7-3,1 | 40 | 100 | 10 | >50 | 40 | 9 | |
BLS2731-110 | 2,7-3,1 | 40 | 100 | 10 | >110 | 40 | 7,5 | |
Верхняя S-полоса | BLS3135-10 | 3,1-3,5 | 40 | 100 | 10 | >10 | 40 | 9 |
BLS3135-20 | 3,1-3,5 | 40 | 100 | 10 | >20 | 40 | 8 | |
BLS3135-50 | 3,1-3,5 | 40 | 100 | 10 | >50 | 40 | 8 | |
BLS3135-65 | 3,1-3,5 | 40 | 100 | 10 | >65 | 40 | >7 |
Тип | F,ГГц | Vcc,B | Tp, мкс | Коэфф. заполнения, % | Мощность, Вт | КПД,% | Усиление, дБ | |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
BIPOLAR | MZ0912B50Y | 0,96-1,215 | 50 | 10 | 10 | >50 | >42 | >7 |
MX0912B100Y | 0,96-1,215 | 50 | 10 | 10 | >100 | >42 | >7 | |
MX0912B251Y | 0,96-1,215 | 50 | 10 | 10 | >235 | >42 | >7 | |
MX0912B351Y | 0,96-1,215 | 42 | 10 | 10 | >325 | >40 | >7 | |
LDMOS | Vds | |||||||
BLA1011-200 | 1,03-1,09 | 36 | 50 | 1 | >200 | 50 | 15 | |
BLA1011-10 | 1,03-1,09 | 36 | 50 | 1 | >10 | 40 | 16 | |
BLA1011-2 | 1,03-1,09 | 36 | 50 | 1 | >2 | - | 18 |
Основные характеристики транзистора BLF861A
Новая модель транзистора BLF647
Транзистор BLF872
Транзисторы для радаров и авионики
Новые транзисторы Philips для радаров и авионики также производятся по современной LDMOS-технологии. Кристаллы, выполненные по технологии LDMOS, меньше нагреваются, являются более надежными, имеют большее усиление, не требуют изолятора между подложкой и радиатором. Соответственно, для достижения тех же характеристик требуется меньшее число транзисторов, что дополнительно повышает надежность и снижает стоимость изделия.
Новые разработки:
BLA0912-250
BLS2934-100
Подводя итоги, можно с уверенностью сказать, что компания Philips идет в ногу со временем и предлагает транзисторы, позволяющие создавать новые устройства, которые обладают более совершенными характеристиками: меньший размер, большая выходная мощность, меньшее число компонентов обвязки и меньшая цена конечного изделия.
Автор: Владимир Захаров,
Email: [email protected]
Комментарии (1) | Подписаться